Transistoren

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT558. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT849. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT949. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: Sehr niedrige Sättigungsspannung

C(in): 1800pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): n/a. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G60N04K. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1

C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Transistor mit Logikpegel-Gate. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IDM--80A pulse. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Kollektorstrom: 3A. Hinweis: hFE 100...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: TO-92

C(in): 1450pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1C ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: P-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. Spec info: Audioverstärker. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: „Stromresonanz-Wechselrichterschaltung“. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P( GCE ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 4650pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Kollektorstrom: 37A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Kollektorstrom: 24A. Ic(Impuls): 36A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10N120BND. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 12N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 54A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 167W. Maximaler Kollektorstrom (A): 96A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorstrom: 54A. Ic(Impuls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12N60A4D. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorstrom: 24A. Ic(Impuls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G12N60C3D. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 35 ns. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HG20N60B3. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 165W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G20N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Spec info: Typische Abfallzeit 140 ns bei 150 °C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS Series IGBT. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS