HGTG10N120BND

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	5.66€	6.74€
2 - 2	5.37€	6.39€
3 - 4	5.09€	6.06€
5 - 9	4.81€	5.72€
10 - 19	4.70€	5.59€
20 - 29	4.58€	5.45€
30 - 47	4.41€	5.25€

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Set mit 1

HGTG10N120BND. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10N120BND. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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