Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D
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HGTG20N60A4D. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 35 ns. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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