HGTG20N60B3

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	6.10€	7.26€
2 - 2	5.80€	6.90€
3 - 4	5.49€	6.53€
5 - 9	5.19€	6.18€
10 - 19	5.07€	6.03€
20 - 29	4.94€	5.88€
30 - 189	4.76€	5.66€

Menge	U.P
1 - 1	6.10€	7.26€
2 - 2	5.80€	6.90€
3 - 4	5.49€	6.53€
5 - 9	5.19€	6.18€
10 - 19	5.07€	6.03€
20 - 29	4.94€	5.88€
30 - 189	4.76€	5.66€

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Menge auf Lager : 189

Set mit 1

HGTG20N60B3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HG20N60B3. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 165W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.

Technische Dokumentation

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Per E-Mail

Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!