HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorstrom: 54A. Ic(Impuls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12N60A4D. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.