Transistoren

C(in): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 670pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Äquivalente: FQD19N10LTM. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N06L. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQD7N10L. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funktion: Niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP12N60C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 70 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 280 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 225W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1800pF. Kosten): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 195W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 850pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 78 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 19A. Pd (Verlustleistung, max): 139W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, td(on)15ns, td(off)135ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET)

C(in): 1150pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 127W. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1400pF. Kosten): 425pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 174A. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 146W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2500pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 182A. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 210W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 121W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Verstärkungsmodus-Leistungsfeldeffekttransistor“. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 45 nC, niedriger CrSS 14 pF

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 9.5A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 20 nC, niedriger CrSS 40,5 pF

C(in): 1570pF. Kosten): 166pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 144 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 44 nC, niedriger CrSS 18 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1515pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 43 nC, niedriger CrSS 20 pF. G-S-Schutz: NINCS