GT35J321

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	7.22€	8.59€
2 - 2	6.86€	8.16€
3 - 4	6.50€	7.74€
5 - 9	6.14€	7.31€
10 - 15	5.99€	7.13€

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Set mit 1

GT35J321. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Kollektorstrom: 37A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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