G60N04K

G60N04K. C(in): 1800pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): n/a. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G60N04K. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.