Transistoren

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Anzahl der Terminals: 3. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70MHz. Kollektorstrom: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N1893. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 70 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. FT: 8 MHz. Funktion: S-L. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 25pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V

C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 0.8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2N2907A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Verstärkertransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 0.6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N2222A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 25 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( BULK Pack ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V

Widerstand B: ja. BE-Diode: NPN-Transistor. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-18. Kosten): TO-18. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.2A. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2905A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Verstärker, Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.6A. Hinweis: >40. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2907A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: UKW-Verstärker

C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hfe 100. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.8A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3019. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Kollektorstrom: 15A. Leistung: 115W. Gehäuse: TO-3

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3055G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 115W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor