Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V - HGTG40N60A4

N-Kanal-Transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V - HGTG40N60A4
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N-Kanal-Transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V - HGTG40N60A4. N-Kanal-Transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 07:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS Series IGBT. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS
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