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IHW30N120R2

IHW30N120R2

C(in): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit:...
IHW30N120R2
C(in): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30R1202. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 390W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 792 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Soft-Switching-Anwendungen. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IHW30N120R2
C(in): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30R1202. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 390W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 792 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Soft-Switching-Anwendungen. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IHW30N135R5XKSA1

IHW30N135R5XKSA1

C(in): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit:...
IHW30N135R5XKSA1
C(in): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 310 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IHW30N135R5XKSA1
C(in): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 310 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IHW40N60RF

IHW40N60RF

Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 40A. Leistung: 305...
IHW40N60RF
Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 40A. Leistung: 305W. Gehäuse: TO-247AC
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Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 40A. Leistung: 305W. Gehäuse: TO-247AC
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IKCM15F60GA

IKCM15F60GA

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Hinweis:...
IKCM15F60GA
Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Äquivalente: Samsung--DC13-00253A. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 27.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKCM15F60GA
Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Äquivalente: Samsung--DC13-00253A. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 27.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKP10N60T

IKP10N60T

Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110...
IKP10N60T
Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110W. Gehäuse: TO-220AB
IKP10N60T
Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 600V. Kollektorstrom: 24A. Leistung: 110W. Gehäuse: TO-220AB
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IKP15N60T

IKP15N60T

C(in): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Ko...
IKP15N60T
C(in): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K15T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKP15N60T
C(in): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K15T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW25N120H3FKSA1

IKW25N120H3FKSA1

Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. G...
IKW25N120H3FKSA1
Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja
IKW25N120H3FKSA1
Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja
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IKW25N120T2

IKW25N120T2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Ge...
IKW25N120T2
RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K25T1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 265 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.4V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 349W. Maximaler Kollektorstrom (A): 100A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
IKW25N120T2
RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K25T1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 265 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.4V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 349W. Maximaler Kollektorstrom (A): 100A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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IKW25T120

IKW25T120

C(in): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit â...
IKW25T120
C(in): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW25T120
C(in): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW30N60H3

IKW30N60H3

C(in): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit...
IKW30N60H3
C(in): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K30H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 187W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW30N60H3
C(in): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K30H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 187W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW40N120H3

IKW40N120H3

C(in): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit ...
IKW40N120H3
C(in): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K40H1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 483W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247N. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW40N120H3
C(in): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K40H1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 483W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247N. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW50N120CS7XKSA1

IKW50N120CS7XKSA1

Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 82A. Leistung: 42...
IKW50N120CS7XKSA1
Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 82A. Leistung: 428W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja
IKW50N120CS7XKSA1
Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 82A. Leistung: 428W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja
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IKW50N60H3

IKW50N60H3

C(in): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit...
IKW50N60H3
C(in): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Diodenschwellenspannung: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW50N60H3
C(in): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Diodenschwellenspannung: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW50N60T

C(in): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit...
IKW50N60T
C(in): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 143 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW50N60T
C(in): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 143 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IKW75N60T

IKW75N60T

C(in): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit...
IKW75N60T
C(in): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 182 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K75T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
IKW75N60T
C(in): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 182 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K75T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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IP3002

IP3002

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
IP3002
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IP3002
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IPA60R600E6

IPA60R600E6

C(in): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistort...
IPA60R600E6
C(in): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R600E6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IPA60R600E6
C(in): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R600E6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2

C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistort...
IPA80R1K0CEXKSA2
C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8R1K0CE. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IPA80R1K0CEXKSA2
C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8R1K0CE. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung...
IPB014N06NATMA1
Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO263-7. Betriebstemperatur: -55...+175°C
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Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO263-7. Betriebstemperatur: -55...+175°C
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IPB020N10N5LFATMA1

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Konfigu...
IPB020N10N5LFATMA1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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IPB80N03S4L-02

IPB80N03S4L-02

C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Di...
IPB80N03S4L-02
C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4N03L02. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
IPB80N03S4L-02
C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4N03L02. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
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IPB80N06S2-07

IPB80N06S2-07

C(in): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Dio...
IPB80N06S2-07
C(in): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0607. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
IPB80N06S2-07
C(in): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0607. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
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IPB80N06S2-08

IPB80N06S2-08

C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Dio...
IPB80N06S2-08
C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0608. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 215W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
IPB80N06S2-08
C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0608. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 215W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS
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IPB80N06S2-09

IPB80N06S2-09

C(in): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistor...
IPB80N06S2-09
C(in): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0609. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IPB80N06S2-09
C(in): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0609. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1

C(in): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transisto...
IPD034N06N3GATMA1
C(in): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 034N06N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IPD034N06N3GATMA1
C(in): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 034N06N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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