Transistoren

C(in): 1220pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 543pF. Kosten): 54pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 642 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 13 nC, niedriger CrSS 5,5 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 740pF. Kosten): 65pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 480pF. Kosten): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 263 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 18 nC, niedriger CrSS 15 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 56W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC), niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQPF8N60C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 45 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1255pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 59W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 790pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: +55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 130pF. Kosten): 19pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQT1N60C. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 240pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Kosten): 36pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 420pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 83 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: niedrige Gate-Ladung (typisch 9,5 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1500pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): na. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ifsm--30App. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 250V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung

C(in): 5300pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FS75R12KE3G. Abmessungen: 122x62x17.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 355W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Anzahl der Terminals: 35. Hinweis: 6x IGBT+ CE Diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1380pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.54 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 74pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 1790A. Ic(Impuls): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Pd (Verlustleistung, max): 7150W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Schwellenspannung Vf (max): 2.35V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Anzahl der Terminals: 7. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT458. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.3A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C