HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D. Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorstrom: 24A. Ic(Impuls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G12N60C3D. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.