Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: SOT-227B (ISOTOP). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GigaMOS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 48 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 41000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 940W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 9100pF. Kosten): 2200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. IDSS (max): 2uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400W. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7000pF. Kosten): 2250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 1.5mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 13m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7600pF. Kosten): 2900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Elektrisch isolierte Rückseite. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Hinweis: Isolationsspannung 2500 V 50/60 Hz, RMS, 1 Minute. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 560W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: PLUS247. Gehäuse (laut Datenblatt): PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1500pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2700pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 120ns. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 39N60BD1. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 76A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 152A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2560pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Hinweis: Isolierkoffer. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1960pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs für 40-100-kHz-Schaltung. Kollektorstrom: 56A. Ic(Impuls): 230A. Ic(T=100°C): 27A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Spec info: Elektrisch isolierte Rückseite. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 3900pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2113pF. Kosten): 197pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: IGBT mit ultraschneller Soft-Recovery-Diode. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 260A. Ic(T=100°C): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 268W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Isolierung 2500 V (50/60 Hz RMS, t=1 Minute). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.092 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263AB ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXTH24N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXTH5N100A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4800pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 24m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 12pF. Kosten): 2210pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 890W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4000pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 92 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 176W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 270 milliOhms. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 160pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.7V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS