Transistoren

Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 30 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 10V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Menge pro Karton: 1

C(in): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: Up 4.5V. IDSS (max): 5mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 Ammo-Pak. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Menge pro Karton: 1

C(in): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Einschaltwiderstand Rds On: 100 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung Vgs: 35V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: P. Transistortyp: FET. Funktion: P-Channel Switch. IDSS (max): 100mA. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Einschaltwiderstand Rds On: 85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: P-Channel Switch. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 10V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J175. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -50mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 25mA. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Einschaltwiderstand Rds On: 250 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: P-Channel Switch. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Funktion: VGS(off) 1V...4V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 35...125. Kollektorstrom: 500mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-5. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Kollektorstrom: 0.15A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Kollektorstrom: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: 9mm Höhe. CE-Diode: ja

Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC2073. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A992. Äquivalente: 2SC992. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC1845. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kollektorstrom: 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1366-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSD2012. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. CE-Diode: ja

Kosten): 2.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Farb-TV-Chroma-Ausgabe (VID-L). Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1507 O. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Farb-TV-Chroma-Ausgabe (VID-L). Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1507 Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-Diode: ja

Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. CE-Diode: ja

Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-Vertikalablenkungsausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 125. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA940. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-Vertikalablenkungsausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 125. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA940. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS