IXTH96N20P

IXTH96N20P. C(in): 4800pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 24m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.