Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.91€ | 4.65€ |
5 - 9 | 3.72€ | 4.43€ |
10 - 24 | 3.52€ | 4.19€ |
25 - 40 | 3.33€ | 3.96€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.91€ | 4.65€ |
5 - 9 | 3.72€ | 4.43€ |
10 - 24 | 3.52€ | 4.19€ |
25 - 40 | 3.33€ | 3.96€ |
IXTP90N055T. C(in): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 176W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.
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