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N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T

N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T
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5 - 9 3.72€ 4.43€
10 - 24 3.52€ 4.19€
25 - 38 3.33€ 3.96€
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N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T. N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.066 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 176W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 07:25.

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IXTP90N055T2

IXTP90N055T2

N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C)...
IXTP90N055T2
N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
IXTP90N055T2
N-Kanal-Transistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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