Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IXTQ36N30P

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IXTQ36N30P. C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

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C(in): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS
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