IXTP90N055T2

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5 - 9	3.61€	4.30€
10 - 24	3.42€	4.07€
25 - 40	3.23€	3.84€

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IXTP90N055T2. C(in): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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