IXTQ88N30P

IXTQ88N30P. C(in): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 600W. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.