Transistoren

Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 0.05A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 O. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.05A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Spec info: 9mm Höhe. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Kosten): 60pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KSC5027 (O). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dyn Focus. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 8A. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 90pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorstrom: 0.03A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorstrom: 0.03A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Kollektorstrom: 0.05A. Hinweis: hFE 350...700. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

Pinbelegung: 1. C(in): 1.5pF. Kosten): 11pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 150mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA733. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Pinbelegung: 1. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 150mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA733. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kollektorstrom: 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: „Hochspannungsschaltmodus“. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 4A. Hinweis: b>750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001