IXGR60N60C2

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	13.06€	15.54€
2 - 2	12.41€	14.77€
3 - 4	11.75€	13.98€
5 - 9	11.10€	13.21€
10 - 14	10.84€	12.90€
15 - 19	10.58€	12.59€
20 - 48	10.19€	12.13€

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IXGR60N60C2. C(in): 3900pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.

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