Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 12.28€ | 14.61€ |
2 - 2 | 11.67€ | 13.89€ |
3 - 4 | 11.05€ | 13.15€ |
5 - 9 | 10.44€ | 12.42€ |
10 - 14 | 10.19€ | 12.13€ |
15 - 19 | 9.95€ | 11.84€ |
20 - 36 | 9.58€ | 11.40€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 12.28€ | 14.61€ |
2 - 2 | 11.67€ | 13.89€ |
3 - 4 | 11.05€ | 13.15€ |
5 - 9 | 10.44€ | 12.42€ |
10 - 14 | 10.19€ | 12.13€ |
15 - 19 | 9.95€ | 11.84€ |
20 - 36 | 9.58€ | 11.40€ |
IXGH24N60CD1. C(in): 1500pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Hinweis: HiPerFAST IGBT-Transistor. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 19:25.
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