Transistoren

C(in): 4880pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 135W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Produktserie: HEXFET. Polarität: MOSFET N. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Max: 45W. Gehäuse: IPAK. Montageart: SMD

C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ24NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 480pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLZ34NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 880pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 55V

C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 41A. Leistung: 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: V5036P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AA. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 390V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 10V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. CE-Diode: NINCS

C(in): 6600pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH13N80. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH26N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 4700pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5700pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH58N20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK140N30P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 14000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1040W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 560W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 8400pF. Kosten): 900pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 400uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. C(in): 12pF. Kosten): 910pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1.5mA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK48N60P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 8860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 830W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. C(in): 7900pF. Kosten): 790pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 830W. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFK64N60P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 12000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1040W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 10000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS