Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQPF11N50CF

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FQPF11N50CF. C(in): 1515pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 43 nC, niedriger CrSS 20 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.

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