FQP19N20C

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FQP19N20C. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 19A. Pd (Verlustleistung, max): 139W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, td(on)15ns, td(off)135ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.

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