Transistoren

Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 17. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009-2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 619. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 165 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 190 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 480. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) FMMT619. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 720

Kanaltyp: N-P. Funktion: Y4. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMT5. Menge pro Karton: 2

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 5000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FP1016. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP4. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Anzahl der Terminals: 7. Menge pro Karton: 1. Spec info: 2SB1121 und SB05-05CP in einem Gehäuse integriert

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 5000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FN1016. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 3A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): PCP4. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-Diode: ja

C(in): 1.45pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 39A. Ic(Impuls): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Abmessungen: 56.7x48x12mm. Pd (Verlustleistung, max): 175W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: IGBT-Hybridmodul. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Anzahl der Terminals: 33dB. Hinweis: 7x IGBT+ CE Diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 730 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA10N80C. Pd (Verlustleistung, max): 240W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA11N90C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA11N90C_F109. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA 11N90. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 340 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 218W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3500pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4200pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 227W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2550pF. Kosten): 710pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 198 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 294W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 81 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4830pF. Kosten): 945pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 298W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 85 nC). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA9N90C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQAF11N90C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.91 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)