FQP13N10

FQP13N10. C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.