FQP3P50

FQP3P50. C(in): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.