Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 4.39€ | 5.22€ |
5 - 9 | 4.17€ | 4.96€ |
10 - 24 | 3.95€ | 4.70€ |
25 - 49 | 3.73€ | 4.44€ |
50 - 99 | 3.64€ | 4.33€ |
100 - 104 | 3.42€ | 4.07€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 4.39€ | 5.22€ |
5 - 9 | 4.17€ | 4.96€ |
10 - 24 | 3.95€ | 4.70€ |
25 - 49 | 3.73€ | 4.44€ |
50 - 99 | 3.64€ | 4.33€ |
100 - 104 | 3.42€ | 4.07€ |
FQP7N80. C(in): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.
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