Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQD19N10L

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FQD19N10L. C(in): 670pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Äquivalente: FQD19N10LTM. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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