FQP12N60C

FQP12N60C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP12N60C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 70 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 280 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 225W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.