Transistoren

C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2507. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (L2-TT-MOSV). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: ja

C(in): 220pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2538. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MOS-Typ (TT.MOSV). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Menge pro Karton: 1

C(in): 1300pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2545. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 1800pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 800V. Menge pro Karton: 1

C(in): 2040pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1.6us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2611. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 150pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: Suppressor. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ZA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MOS-Typ (L2.TT.MOSV). Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

C(in): 700pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2625. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 550pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 1mV. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI-LS. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 950pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2640. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.73 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 450pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2647. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.19 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.78 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 780pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2662. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. Menge pro Karton: 1. Technologie: Feldeffekttransistor (TT-MOS V). G-S-Schutz: ja

C(in): 1140pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): na. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): na. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2699. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 750pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2700. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja

C(in): 280pF. Kosten): 58pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Id(imp): 6A. ID (T=25°C): 2A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2715. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2717. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Hochspannungsschalt-DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: ja

C(in): 830pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstromschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 28m Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Feldeffekt-Leistungstransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 800pF. Kosten): 65pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2750. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 1100pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1850pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 2.5us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): na. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor. Leistung: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 700V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 2040pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): na. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2842. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 180 ns. Td(on): 58 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT.MOSV). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja