Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2625LS

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2SK2625LS. C(in): 700pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2625. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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C(in): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. G-S-Schutz: NINCS
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