Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2645

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2SK2645. C(in): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transisto...
2SK1507
C(in): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1507. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
2SK1507
C(in): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1507. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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