2SK2647

2SK2647. C(in): 450pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2647. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.19 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.