2SK2761

2SK2761. C(in): 1100pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 15:25.