2SK2615

2SK2615. C(in): 150pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: Suppressor. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ZA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MOS-Typ (L2.TT.MOSV). Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.