Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SK2640

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2SK2640. C(in): 950pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2640. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.73 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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