2SK2651

2SK2651. C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.78 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.