Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2632LS

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2SK2632LS. C(in): 550pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 1mV. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI-LS. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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