2SK2723

2SK2723. C(in): 830pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstromschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 28m Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Feldeffekt-Leistungstransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 15:25.