Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2662

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2SK2662. C(in): 780pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2662. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. Menge pro Karton: 1. Technologie: Feldeffekttransistor (TT-MOS V). G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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C(in): 1300pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. T...
2SK2545
C(in): 1300pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2545. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja
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STP5NK60ZFP
C(in): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 485 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+ °C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja
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