Transistoren

C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 135 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1NK60ZR. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammopak. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zener-geschützt, ESD-verbesserte Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Funktion: STripFET™ II Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Kanaltyp: N-P. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 11W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit doppeltem Verbesserungsmodus. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: Feldeffekttransistor mit doppeltem Verbesserungsmodus

Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 11W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4

C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W10NK80Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 560 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit, Schaltanwendungen. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK100Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W11NK100Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 98 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 584 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S-Schutz: ja

C(in): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 635 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 3500pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 964ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Gehäuse: TO-247. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W13NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 13A. Leistung: 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. G-S-Schutz: ja

C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W14NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 15A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Leistung: 350W. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung (Vds): 900V

C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NM50FD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1380pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NM60. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.51g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N65M2. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja