STW10NK60Z

STW10NK60Z. C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.