Transistoren

C(in): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 110us. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P36NF06. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 18A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P36NF06L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 60.4k Ohms

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 2.9A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V

C(in): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NB60. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 3.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMESH III. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V

Kanaltyp: N. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V

C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 590pF. Kosten): 63pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Spannung Vds(max): 800V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P4NK50Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 310pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor

C(in): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06L. Pd (Verlustleistung, max): 95W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P5NK100Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 485 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+ °C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja

C(in): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.3A. Leistung: 110W. Gehäuse: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja

C(in): 1810pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 73ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Kosten): 360pF. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS