Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STW11NK90Z

STW11NK90Z
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STW11NK90Z. C(in): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 584 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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