Transistoren

C(in): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W34NB20. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.62 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 35A. Pd (Verlustleistung, max): 255W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh II. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Menge pro Karton: 1

C(in): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 255W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Niedriger Gate-Eingangswiderstand. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Pd (Verlustleistung, max): 417W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 22.4A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 605 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W5NK100Z. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W7NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HIGH SWITCH. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: High-Speed. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SUP53P06-20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 104W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SUP75N03-04. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10742pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 187W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Netzteil, DC/DC-Wandler. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -20V. Kollektorstrom: -1A. Leistung: 1W. Max Frequenz: 65MHz. Gehäuse: TO-92

Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektorstrom: -1A. Leistung: 0.8W. Max Frequenz: 150MHz. Gehäuse: TO-92

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Kollektorstrom: 7A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1

C(in): 5500pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 240A. Ic(Impuls): 240A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3FS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 430V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 33V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Verschiedenes: Blitz, Stroboskopsteuerung. Technologie: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funktion: Schalten, Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP107. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funktion: Schalten, Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP102. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Hinweis: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Kosten): 2pF. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Hinweis: >1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-220. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP120. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: Silizium. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127

Widerstand B: ja. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): 200pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C