STW14NK50Z

STW14NK50Z. C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W14NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.