STW20NK50Z

STW20NK50Z. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.